Name: EPC2110ENGRT
Brand: EPC
SKU: EPC2110ENGRT
Rating: 5.0 (99 reviews)

Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред

Қисми истеҳсолкунанда: EPC2110ENGRT

Истеҳсолкунанда: EPC

Тавсифи: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE

Категория: маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ

Оила: транзисторҳо - фетҳо, mosfets - массивҳо

Силсила: -

Дар фурӯш: 0

Ҷадвалҳои онлайн: EPC2110ENGRT PDF

EPC2110ENGRT Огоҳӣ

Chimicron як дистрибютори мустақили ҷузъҳои электронӣ мебошад. Мо сарчашмаҳои боэътимоди ҷузъҳои электронӣ дорем, танҳо маҳсулоти нав ва аслӣ мефурӯшем ва барои маҳсулоти мо кафолати 1 сол пешниҳод мекунем. EPEPC110ENGRT EPC-ро аз chimicron.com харед. Мо ҳоло дар саҳҳомӣ қисмҳои 0 EPEPC110ENGRT дорем. Барои EPEPC110ENGRT дархост пешниҳод кунед ё ба почтаи электронӣ фиристед [email protected], мо дар давоми 24 соат бо шумо тамос хоҳем гирифт.

Пурсиш

Ширкат

Тамос *

Телефон *

Почтаи электронӣ *

кишвар

Миқдор *

Нархи мақсаднок (доллари ИМА)

Мундариҷа

Captcha

силсила:eGaN®
баста:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
ҳолати қисм:Active
навъи фут:2 N-Channel (Dual) Common Source
хусусияти fet:GaNFET (Gallium Nitride)
рехтан ба шиддати манбаъ (vdss):120V
ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c:3.4A
rds оид ба (максимум) @ id, vgs:60mOhm @ 4A, 5V

vgs(th) (максимум) @ id:2.5V @ 700µA
пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs:0.8nC @ 5V
Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds:80pF @ 60V
қувват - макс:-
ҳарорати корӣ:-40°C ~ 150°C (TJ)
навъи насб:Surface Mount
баста / парванда:Die
бастаи дастгоҳи таъминкунанда:Die

Фиристодан	Мӯҳлати таҳвил	Барои қисмҳои захиравӣ, фармоишҳо дар давоми 3 рӯз фиристода мешаванд. Мо фармоишҳоро дар як рӯз як маротиба тақрибан соати 17:00 ба истиснои рӯзи якшанбе мефиристем. Пас аз фиристодан, вақти тахминии интиқол аз хаткашонҳои дар зер интихобкардаи шумо вобаста аст. DHL Express, 3-7 рӯзи корӣ DHL eCommerce, 12-22 рӯзи корӣ FedEx Priority International, 3-7 рӯзи EMS, 10-15 рӯзи корӣ Почтаи ба қайд гирифташуда, 15-30 рӯзи корӣ
	Нархи интиқол	Қурбҳои интиқол барои фармоиши шумо метавонанд дар аробаи харид пайдо шаванд.
	Варианти интиқол	Мо интиқоли байналмилалии DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express ва почтаи бақайдгирифташударо таъмин мекунем.
	Пайгирии интиқол	Пас аз фиристодани фармоиш мо шуморо тавассути почтаи электронӣ бо рақами пайгирӣ огоҳ хоҳем кард. Шумо инчунин метавонед рақами пайгириро дар таърихи фармоиш пайдо кунед.

Бозгашт / Кафолат	Бозгашт	Бозгашт одатан пас аз анҷоми он дар давоми 30 рӯз аз рӯзи интиқол қабул карда мешавад, лутфан бо хидматрасонии муштариён барои гирифтани иҷозати баргардонидан тамос гиред. Қисмҳо бояд истифоданашуда ва дар бастаи аслӣ бошанд. Муштарӣ бояд барои интиқол пардохт кунад.
Бозгашт / Кафолат	Кафолат	Ҳама харидҳо бо сиёсати баргардонидани пул дар давоми 30 рӯз ва инчунин кафолати 90 рӯз бар зидди ҳама гуна нуқсонҳои истеҳсолӣ меоянд. Ин кафолат ба ягон ашёе дахл надорад, ки камбудиҳо дар натиҷаи васлкунии нодурусти муштарӣ, риоя накардани дастурҳо аз ҷониби муштарӣ, тағир додани маҳсулот, беэҳтиётӣ ё амалиёти нодуруст ба вуҷуд омадаанд.

Тавсия барои Шумо

Рақами қисм	Тавсифи	Захира	Нархи чакана
IRFW630BTM_FP001 Rochester Electronics	9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL	Дар фурӯш: 800	$0.40000
DMN3060LVT-13 Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)	MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26	Дар фурӯш: 0	$0.12409
BSM120D12P2C005 ROHM Semiconductor	MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE	Дар фурӯш: 33	$382.97000
FDPC8012S Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP	Дар фурӯш: 14025	$3.06000
DMG1023UVQ-7 Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)	MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563	Дар фурӯш: 69000	$0.09781
SQJB42EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8	Дар фурӯш: 1202	$1.13000
SI1965DH-T1-GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6	Дар фурӯш: 7918	$0.53000
MCH6603-TL-H Rochester Electronics	SMALL SIGNAL FET	Дар фурӯш: 106500	$0.12000
SQJB80EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8	Дар фурӯш: 998	$1.13000
ALD212908ASAL Advanced Linear Devices, Inc.	MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC	Дар фурӯш: 0	$6.26880